格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD(7)
时间:2023-10-10 16:01 来源:网络整理 作者:墨客科技 点击:次
2015-07-16 09:46:29 格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台 格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。 2015-07-14 11:18:18 半导体厂商产能布局 FinFET与FD-SOI工艺大PK 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。 2015-07-07 09:52:22 格罗方德半导体宣布已完成对IBM微电子业务的收购 2015年7月2日:格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布,公司已完成对IBM微电子业务的收购。此项交易为公司增添差异化技术、世界一流的技术人员和知识产权。 2015-07-02 16:15:19 嵌入式存储器 意法半导体FD-SOI性能大升 意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器,有望突破更高性能,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。 2013-11-09 08:54:09 意法半导体28nm FD-SOI技术平台又获阶段性成功 意法半导体宣布,其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz,在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。 2013-03-13 09:40:24
看好28奈米FD-SOI技术 意法借力成该技术领导者 日前,意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术,这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技术的能力。 2012-12-14 08:45:27 意法半导体(ST)与Soitec携手CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程 意法半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator, 2012-10-25 09:42:50 格罗方德半导体宣布为20纳米设计流程提供支持 格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES )日前宣布了该公司推进尖端20纳米的制造工艺走向市场的一项重大的进展。罗格方德半导体利用电子设计自动化(EDA)的先进厂商如Cadence Design Systems、Magma De 2011-09-20 08:49:00 FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。 (责任编辑:admin) |

