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格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD(7)

2015-07-16 09:46:29

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半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

半导体(GLOBALFOUNDRIES)今日发布一种全新半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供一个最佳解决方案。

2015-07-14 11:18:18

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半导体厂商产能布局 FinFET与FD-SOI工艺大PK

在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。

2015-07-07 09:52:22

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半导体宣布已完成对IBM微电子业务的收购

2015年7月2日:半导体(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布,公司已完成对IBM微电子业务的收购。此项交易为公司增添差异化技术、世界一流的技术人员和知识产权。

2015-07-02 16:15:19

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嵌入式存储器 意法半导体FD-SOI性能大升

意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器,有望突破更高性能,以实现更低工作功耗和更低待机功耗。

2013-11-09 08:54:09

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意法半导体28nm FD-SOI技术平台又获阶段性成功

意法半导体宣布,其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz,在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。

2013-03-13 09:40:24

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看好28奈米FD-SOI技术 意法借力成该技术领导者

日前,意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术,这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技术的能力。

2012-12-14 08:45:27

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意法半导体(ST)与Soitec携手CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程

意法半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,

2012-10-25 09:42:50

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半导体宣布为20纳米设计流程提供支持

半导体(GLOBALFOUNDRIES )日前宣布该公司推进尖端20纳米的制造工艺走向市场的一项重大的进展。罗格半导体利用电子设计自动化(EDA)的先进厂商如Cadence Design Systems、Magma De

2011-09-20 08:49:00

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FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。

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