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法国原子能中心科研所（CEA Tech）下属研究机构CEA-LETI首席执行官Marie Semeria指出：“12FDX的发展将在功耗、性能和智能调节方面实现另一个突破，因为12nm能够实现最佳的双重曝光，而且能够以最低的制程复杂度提供最好的系统性能和功耗。LETI团队和格罗方德半导体在美国和德国为了FD-SOI技术的扩展路线图相互协作，取得了这个可喜的成果，其将成为实现联网设备的片上系统完全集成的最佳平台。”

Soitec的首席执行官Paul Boudre说：“我们非常高兴地看到22FDX拥有强大的发展动力，拥有非常坚定的无晶圆厂商客户采用者。格罗方德12FDX技术将进一步扩大FD-SOI的市场普及。Soitec已经做好充分的准备来支持格罗方德半导体，为其提供高产量、高质量的22nm至12nm的FD-SOI衬底。这是我们的行业一个惊人的机会，为新的移动和连接应用发展提供了及时的巨大动力。”

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