格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD(4)
时间:2023-10-10 16:01 来源:网络整理 作者:墨客科技 点击:次
2019-10-21 11:40:16 高级工艺未来分化,FD-SOI受益 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。 2019-08-06 16:25:00 云天励飞、Blink现身说法谈FD-SOI优势 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！ 2019-08-06 16:22:45 各企业积极投入FD-SOI元件开发 看好后续市场发展 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。 2019-05-22 17:22:20
格芯宣布与安森美半导体达成最终协议 值得注意的是，去年6月，格芯开始全球裁员，在建的成都12寸晶圆厂项目招聘暂停。去年8月，格芯宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。 2019-04-24 16:23:21 FD-SOI工艺日趋成熟，图像处理应用成其落地关键 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。 2018-09-20 09:30:19 格罗方德退出7nm工艺大战 缩减硅工艺的可怕竞争，最近又难倒了一位参赛选手。格罗方德（GlobalFoundries）今日宣布，它将无限期地暂停 7nm LP 工艺的开发，以便将资源转移到更加专业的 14nm 和 12nm FinFET 节点的持续开发上。 2018-09-06 10:31:34 GF退出7nm代工 台积电一家独大 日前，格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。 2018-09-03 16:41:42 若GF退出7nm代工，谁受影响最大？ 今天，Globalfoundries（简称GF）宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。 2018-08-31 15:03:01 格芯宣布退出7nm工艺研发 最大受害者是谁 Globalfoundries（简称格芯）公司今天宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。考虑到格芯这几年来营收及盈利状况 2018-08-29 15:13:00 格芯成为 7nm LP 工艺开发的逃兵，专注于14/12nm FinFET 节点 (责任编辑：admin) |
